[发明专利]纳米陶瓷的制造方法无效

专利信息
申请号: 200410022944.5 申请日: 2004-02-27
公开(公告)号: CN1559977A 公开(公告)日: 2005-01-05
发明(设计)人: 申佑芝;申华伟;李波 申请(专利权)人: 申佑芝
主分类号: C04B35/00 分类号: C04B35/00;C04B35/10
代理公司: 湖南省娄底市兴娄专利事务所 代理人: 邬松生
地址: 417000湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种纳米陶瓷的制造方法,将待包装合格的以三氧化二铝为基的如75瓷、95瓷、99瓷纺织陶瓷及经检验合格的待被釉的高压输电瓷瓶及制造半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷和阀门、水龙头开关用陶瓷清洗烘干后置于真空容器中,当真空度到达133.3×10-3~133.3×10-7Pa后将加热源上的纳米材料升温到20℃~1200℃,保持0.5~4.0小时,解除真空,纳米材料分布到所有陶瓷里面,停止加热自然降温、冷却,取出产品清洗烘干。纺织陶瓷由多孔性变成致密性,由亲水性变成了憎水性,增加了陶瓷的润滑性,可降低断纱率2~20倍;高压输电瓷瓶不需被釉,不仅可提高它的耐压性和环境使用性,还可降低生产成本,半导体元件封装用及阀门,水龙头开关用的纳米陶瓷,密封抗潮性能好。
搜索关键词: 纳米 陶瓷 制造 方法
【主权项】:
1、一种纳米陶瓷的制造方法,其特征在于:将待包装合格的纺织陶瓷如以三氧化二铝为基的75瓷或95瓷或99瓷及经检验合格待被釉的高压输电瓷瓶及半导体元器件环氧树脂封装用陶瓷、阀门与水龙头开关用陶瓷用清洁水及有机溶剂清洗、烘干置于真空容器中,同时将纳米材料放于真空容器中的加热源上;抽真空,待真空容器中的真空度达到133.3×10-3~133.3×10-7Pa后,将纳米材料升温到20℃~1200℃保持0.5~4.0小时向真空容器中放气,纳米材料全部分布到陶瓷里面后,停止加热,自然降温冷却,取出产品清洗烘干待用。
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