[发明专利]物理场作用下化学气相沉积快速制备炭/炭复合材料的方法无效
申请号: | 200410023057.X | 申请日: | 2004-04-01 |
公开(公告)号: | CN1676664A | 公开(公告)日: | 2005-10-05 |
发明(设计)人: | 黄启忠;谢志勇;苏哲安;陈建勋;张福勤;黄伯云 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26 |
代理公司: | 中南大学专利中心 | 代理人: | 袁翔 |
地址: | 4100*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及化合物分解法,尤其是沉积炭及碳化物的方法,其特征在于:导电层采用钨丝、钼丝和石墨层,通过导电层调控物理场;将炭/炭复合材料坯体置于化学气相沉积炉内,控制沉积温度600~1100℃,以碳氢气体为反应气体,以Ar或N2为稀释气体,碳氢气体浓度5%至100%,反应气体流量0.2至1.2m2/h·m2;采用本发明提高了炭/炭复合材料的致密速度,缩短了制备周期,调控热解炭的结构,致密、均匀性优良,降低了制备成本。 | ||
搜索关键词: | 物理 作用 化学 沉积 快速 制备 复合材料 方法 | ||
【主权项】:
1.物理场作用下化学气相沉积快速制备炭/炭复合材料的方法,其特征在于:导电层采用钨丝、钼丝和石墨层;将炭/炭复合材料坯体置于化学气相沉积炉内,控制沉积温度600~1100℃,以碳氢气体为反应气体,以Ar或N2为稀释气体,碳氢气体浓度5%至100%,反应气体流量0.2至1.2m2/h·m2;在1kPa至微正压条件下,碳源气体实施连续式或间断式送气,通过导电层的设计和调节工艺参数以获得材料所需要结构的基本热解炭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410023057.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的