[发明专利]低温低压合成氮化物晶体材料的方法无效
| 申请号： | 200410023466.X | 申请日： | 2004-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1557698A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;徐现刚;张怀金;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250100*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 低温低压合成氮化物晶体材料的方法，属于晶体材料生长技术领域。把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中，加入氮源，将反应容器密封，抽真空，充入氮气，加热到200～1000℃，反应2～480小时，反应完成后，产物洗涤，抽滤，干燥，得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料，可广泛应用于蓝紫光和紫外光半导体光电子器件的衬底材料、热衬材料、高效率的发光二极管和激光二极管、场发射晶体管、光加热散热器、大功率电子器件的密封材料、精密机械加工刀具、高稳定性耐高温加热容器、高热导率绝缘材料、磨削切削工具，军用特种窗口材料等。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 低压 合成 氮化物 晶体 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.氮化物晶体材料制备方法，包括如下步骤：(1)把硼源、镓源、铟源或铝源加入反应容器中，加入至少一种氮源，将反应容器密封，抽真空，充入氮气，加热到200～1000℃，反应2～480小时，(2)反应完成后，产物先用乙醇洗涤，接着用去离子水洗涤、抽滤，或用碱性或酸性溶液处理后，再进行抽滤，直到滤液呈中性为止，(3)所得到的产物在真空中加热干燥，得到氮化硼、氮化镓、氮化铟或氮化铝晶体材料。
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