[发明专利]高稳定电光Q开关铌酸锂晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200410024017.7 | 申请日： | 2004-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1563510A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 袁多荣;魏学成;尹鑫;程秀凤;吕衍秋;宋建安;郭世义;吕孟凯;许东 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;H01S3/127 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体，属于晶体材料技术领域。原料摩尔比为[Li2CO3]/[Nb2O5]＝48～58∶42～50，可掺杂钙、钡、锶、锌、铟、铁、钴、铜、锰、铈、镱、铬、钕或铒的氧化物中的一种或几种，在熔融状态下，利用提拉法生长。本发明的铌酸锂晶体所制作的电光Q开关具有良好的温度稳定性，即在环境温度－40℃和50℃的条件下及温度变化情况下，晶体的椭圆度系数、对比度系数及电光系数均不发生明显变化，在－40℃～50℃的温度区间均能实现稳定开关。本发明的方法易于得到大块优质单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 电光 开关 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、高稳定电光Q开关铌酸锂晶体，其特征在于原料摩尔比为[Li2CO3]/[Nb2O5]＝48～58∶42～50，在熔融状态下，利用提拉法生长。
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