[发明专利]并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200410024905.9 | 申请日： | 2004-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1585151A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 黄维;刘承斌 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/20 | 分类号： | H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;沈云 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种以1，2，3，4，8，9，10，11－八取代并五苯衍生物作为有机半导体材料的有机场效应晶体管(以下简称OFET)及其制备方法。OFET结构有TOP型和Bottom两种，并五苯衍生物的取代基为卤素(F－、Cl－、Br－、I－)。有机半导体的成膜包括并五衍生物直接成膜和通过并五衍生物先驱物间接成膜两种方式。制膜技术可采用真空蒸镀、旋涂、甩膜、铸膜、LB膜、印刷、喷墨打印等。本发明制备方法的条件比较宽松，制备的OFET具有理想的场效应迁移率和电流开关比，且运行稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 衍生物 作为 半导体材料 有机 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机场效应管，由源极、漏极、有机半导体层、介电层、基底和栅极组成，其特征在于所述的有机半导体层材料采用1，2，3，4，8，9，10，11-八取代并五苯衍生物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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