[发明专利]用于低K中间电介质层的方法及结构

摘要

本发明公开一种集成电路互连线结构。该结构包括一个衬底和一个覆盖在所述衬底之上的晶体管元件层。一个第一中间电介质层被形成覆盖在所述晶体管元件层之上。一个蚀刻层被形成覆盖在所述第一中间电介质层之上。一个包括金属的导电结构位于第一中间电介质层内部，一个金属层被耦合到所述导电结构。一个钝化层被形成覆盖在所述金属层之上。优选地，一个气隙层被耦合在所述钝化层和所述金属层之间，所述气隙层允许所述金属层的一部分独立。根据具体实施例，所述气隙层的一部分可以填充有可在低温下氧化的含纳米粒子的硅。该氧化层提供机械支撑以及低k电介质特性。优选地，所述气隙层的一部分还可填充有低k电介质材料。

主权项

1.一种形成低K电介质层的方法，该方法包括：提供一个衬底；形成一个覆盖在所述衬底之上的晶体管元件层；形成一个覆盖在所述晶体管元件层之上的第一中间电介质层；形成一个覆盖在所述第一中间电介质层上的蚀刻阻挡层；图案化所述第一中间电介质层以形成导电结构；用金属填充所述导电结构；形成覆盖在所述导电结构和覆盖在所述蚀刻阻挡层之上的一层牺牲层；形成一个覆盖在所述一层牺牲层之上的金属层，所述金属层耦合到所述导电结构；形成覆盖在所述金属层之上的一个或多个其它层；以及有选择的移除所述一层牺牲层，并保持所述金属层和蚀刻阻挡层原封不动，以在所述蚀刻阻挡层的一部分与所述一个或多个其它层之间形成气隙。