[发明专利]一种对Si量子点掺杂的方法无效
| 申请号： | 200410025433.9 | 申请日： | 2004-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1594497A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 方应翠;陆明;章壮健 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;沈云 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种对Si量子点掺杂的方法。具体是采用真空蒸发技术在已经制备好的嵌有Si量子点的SiO2薄膜表面上蒸镀一层TeF3薄膜，然后低温退火，使CeF3扩散到量子点周围，或量子点中。经本发明掺杂的Si量子点的荧光强度大为提高。本发明方法所用设备普通，工艺步骤简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 量子 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种对Si量子点掺杂的方法，其特征在于具体步骤如下：(1)将粉末状CeF3置于真空室坩埚内；(2)把制备好的嵌有Si量子点的SiO2薄膜作为基体，置于真空室样品架上；(3)抽真空，真空度不低于10-6Torr量级；(4)加热CeF3.使其蒸发沉积到基体上形成CeF3薄膜，CeF3的掺杂浓度为0.001-4mol％；(5)将制备好的样品放入石英管中，通N2气，在400-1100℃下退火30-180分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410025433.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
