[发明专利]一种硅微型驻极体声传感器储电膜的化学表面修正工艺

摘要

本发明为一种硅微型驻极体声传感器储电膜的化学表面修饰工艺。它利用带抽气阀门的玻璃容器，其底部放置试剂HMDS或DCDMS，上面放置待处理的含SiO₂或Si₃N₄/SiO₂驻极体薄膜的Si片，在试剂的纯饱和蒸汽下，进行气相反应，避免水或其它活性物质对薄膜表面的污染，本发明工艺可以明显改善SiO₂、Si₃N₄/SiO₂的驻极态，确保电荷储存的稳定性。

主权项

1、一种硅微型驻极体声传感器储电膜的化学表面修正工艺，其特征在于具体步骤如下：利用带抽气阀门的玻璃容器，在其底部放置一盛有试剂HMDS或DCDMS的敞口器皿，上面放置待处理的含SiO2或Si3N4/SiO2驻极体薄膜的Si片，用真空泵将容器内含水的空气及挥发的HMDS或DCDMS混和气或汽体抽净，关闭阀门，使腔内在后继阶段蒸发出仅仅包含HMDS或DCDMS的纯饱和蒸汽；在室温下气相反应12小时-240小时。