[发明专利]四氧化三钴纳米晶包裹碳纳米管复合粉体及制备方法无效
| 申请号： | 200410025518.7 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1594211A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 高濂;单研 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/52 | 分类号： | C04B35/52;C04B35/32;C04B35/628 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米四氧化三钴磁性材料原位包裹碳纳米管的有效方法。主要特征是以六水合硝酸钴为原料，以正己醇为溶剂，在140－180℃回流条件下原位包裹碳纳米管。制备过程简单，不需添加任何表面活性剂，只需将碳纳米管进行酸化处理，引入－OH、－COOH、－CO等活性基团，碳纳米管表面的这些活性基团通过静电吸引作用及亲水相容性将钴离子原位吸附在碳纳米管表面，在140－180℃间回流条件下吸附在碳管表面的Co(NO3)2·6H2O分解生成成四氧化三钴从而将纳米四氧化三钴均匀包裹在碳纳米管表面。在优化条件下，可得到晶粒尺寸为8nm的四氧化三钴包裹碳纳米管的复合粉体，包裹层约为15－20nm。本方法实现了四氧化三钴纳米晶与碳纳米管的紧密结合，是制备碳纳米管/四氧化三钴复合材料的有效途径，还具有工艺简单、生产成本低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 包裹 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种四氧化三钴纳米晶原位包裹碳纳米管复合粉体，其特征在于四氧化三钴纳米晶原位均匀覆盖在多壁碳纳米管表面，覆盖层厚度约为15-20nm。
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