[发明专利]超低介电常数薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200410025643.8 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1716547A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/768;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;竺明 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低介电常数膜及其制造方法。超低介电常数膜是在已形成有铜互连线的膜层上顺序形成的多层膜构成的叠层膜，叠层膜包括：SiN或SiC铜扩散阻挡层；加氟的硅酸盐玻璃(FSG)或纯硅酸盐玻璃(USG)。可以防止胺在随后进行的光刻腐蚀构图中损坏光刻胶，造成互连断开的缺陷，防止含碳的氧化硅(SiOC)低介电常数介质膜灰化损坏，和增大低介电常数含碳的氧化硅(SiOC)介质膜的硬度，以利于后续的CMP处理。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、超低介电常数膜，其特征是，超低介电常数膜是在已形成有铜互连线的膜层上顺序形成的多层膜构成的叠层膜，叠层膜包括：SiN或SiC铜扩散阻挡层(1)；加氟的硅酸盐玻璃层(FSG)或纯硅酸盐玻璃(USG)层(2)；含碳的氧化硅(SiOC)超低介电常数介质膜(3)；和加氟的硅酸盐玻璃层(4)；其中，位于含碳的氧化硅(SiOC)超低介电常数介质膜下面的加氟的硅酸盐玻璃可以阻挡来自下面的SiN或SiC铜扩散阻挡层中的胺(NHx)；位于含碳的氧化硅(SiOC)超低介电常数介质膜上面的加氟的硅酸盐玻璃可以阻挡来自上面SiON中的胺(NHx)和来自铜等离子体处理中的胺(NHx)，防止含碳的氧化硅(SiOC)低介电常数介质膜灰化损坏，和增大超低介电常数含碳的氧化硅(SiOC)介质膜的硬度，以利于后续的CMP处理。在这样构成的超低介电常数介质膜中能形成连接上层和下层互连线的高质量的例如铜栓的导电栓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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