[发明专利]一种金属离子源无效

专利信息
申请号: 200410026305.6 申请日: 2004-07-06
公开(公告)号: CN1594649A 公开(公告)日: 2005-03-16
发明(设计)人: 赵玉清;沈伯礼;赵鑫;朱克志;李冬梅 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;H05H1/16
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 陈翠兰
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种金属离子源,能够提高高密度金属元素离子的金属离子源。本发明在装置的阴极上增加辅助阴极,辅助阴极突出在阳极区内,并与阳极构成一个放电室,在辅助阴极下方设置环形磁铁和磁铁,磁铁置在环形磁铁内,两磁铁连接在阴极上。辅助阴极采用需要的金属元素材料制成,当需要某种金属元素时,安装上用该材料制备的辅助阴极和磁铁,构成磁控溅射源,该辅助阴极即增大了金属元素的溅射产额,保护了原有阴极不被损坏,延长离子源的使用寿命,使用非常方便。当需要采用气体离子时,将辅助阴极下方设置环形磁铁和磁铁去掉即可。利用该源既可获取气体元素离子又可获取不同高密度金属元素离子,可以利用一个离子源满足多种元素离子的注入需要。
搜索关键词: 一种 金属 离子源
【主权项】:
1、一种金属离子源,包括底座(9),在底座(9)上固定有进气嘴(5),进气嘴(5)上连接有阴极(3),阴极(3)固定在底座(9)上,阴极(3)上设置有可与进气嘴(5)相通的通气孔,阴极(3)上面连接有阳极(8),在阳极(8)外设置有磁铁(10),磁铁(10)上端通过安装板(11)固定,安装板(11)固定在安装筒(12)上,安装筒(12)套装在磁铁(10)外,磁铁(10)下端和安装筒(12)固定于底座(9)上,在安装筒(12)上安装有引出栅(13),引出栅(13)位于阳极(8)的上面,并绝缘隔离,引出栅(13)中间设置有引出孔,在引出栅(13)上方套装有中间电极(16)和加速电极(17),并用绝缘层绝缘,中间电极(16)与加速电极(17)固定在安装筒(12)上,其特征在于,在阴极(3)上增加辅助阴极(6),辅助阴极(6)突出在阳极区内,并与阳极(8)构成一个放电室,在辅助阴极(6)下方设置环形磁铁(2)和磁铁(4),磁铁(4)置在环形磁铁(2)内,环形磁铁(2)和磁铁(4)连接在阴极(3)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410026305.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top