[发明专利]一种碳纳米管场发射阴极的制备方法有效
| 申请号： | 200410027042.0 | 申请日： | 2004-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1691246A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;魏洋;盛雷梅;刘亮;范守善;胡昭复 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射元件的制备方法，特别涉及一种碳纳米管场发射阴极的制备方法。该碳纳米管场发射阴极的制备方法包括下列步骤：提供适量碳纳米管并配成悬浮液；提供一基板，该基板上形成有电极；在该基板上印刷一层导电浆料；将碳纳米管悬浮液分布到该导电浆料层上，形成一碳纳米管层；刻划，在导电浆料层上划出多个格子，使部分碳纳米管至少一端翘起来；烧结，得到均匀的场发射体表面。该方法制备的碳纳米管场发射阴极可用于背光板或场发射平面显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管场发射阴极的制备方法，包括下列步骤：提供适量碳纳米管并配成悬浮液；提供一基板，该基板上形成有电极；在该基板上印刷一层导电浆料；将碳纳米管悬浮液分布到该导电浆料层上，形成一碳纳米管层；刻划，在导电浆料层上刻划出多个格子，使碳纳米管至少一端翘起来；烧结，得到均匀的场发射体表面。
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