[发明专利]芯片温测装置及其温测方法无效
| 申请号： | 200410027406.5 | 申请日： | 2004-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1704737A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 简扬昌 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/00 | 分类号： | G01K7/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种芯片温测装置及其温测方法，该温测装置包括封装在芯片内部的温度感知装置及温度测量电路，温度感知装置包括生长在集成电路最表层的电绝缘层及依次生长在电绝缘层上方的两层不同的金属薄膜，该两层金属薄膜分别与温度测量电路电连接，温度测量电路包括一低通滤波器及一模数转换器。测量芯片温度时，将上述两层金属薄膜间的电压模拟信号输入低通滤波器；利用低通滤波器滤除此电压模拟信号中的高频杂质信号后输入模数转换器；利用模数转换器将滤除杂质后的电压模拟信号转换为数字信号；根据数字信号计算出此时芯片内的温度。本发明可准确感测芯片内的实际温度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片温测装置，包括一温度感知装置及一温度测量电路，其特征在于：该温度感知装置及温度测量电路均封装在芯片内部，温度感知装置包括一生长在芯片的集成电路最表层的电绝缘层及依次生长在电绝缘层上方的两层不同的金属薄膜，该两层金属薄膜分别与温度测量电路电连接，该温度测量电路检测两层金属薄膜之间的电压信号，从而得到芯片内部的温度信号。
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