[发明专利]碳纳米管场发射装置及其制备方法有效
| 申请号： | 200410027408.4 | 申请日： | 2004-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1705059A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘宇明;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/30;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管场发射装置及其制备方法。该碳纳米管场发射装置包括一基板及至少一形成于基板上的碳纳米管阵列，其中该碳纳米管阵列中渗透有粘合剂，碳纳米管阵列顶端露出在粘合剂之外。该粘合剂将碳纳米管阵列固定在基板上，避免碳纳米管在强电场下被电场力从基板上拔出。本发明还提供该碳纳米管场发射装置的制备方法。该碳纳米管场发射装置适合用于真空电子源器件，特别适合用于场发射平面显示器的阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 发射 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管场发射装置包括一基板及至少一形成于基板上的碳纳米管阵列，其特征在于该碳纳米管阵列中渗透有粘合剂，该粘合剂将碳纳米管阵列固定在基板上。
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