[发明专利]场发射装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410027630.4 | 申请日： | 2004-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1707724A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射装置及其制造方法，用于解决现有技术中场发射装置的栅极截获电流较高的问题。本发明提供的场发射装置包括阴极和栅极。该阴极上设有至少一个电子发射端。该栅极与该电子发射端临近的表面上设有绝缘层。本发明还提供上述场发射装置的制造方法，包括采用蒸镀法在该栅极表面形成该绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射装置，包括阴极和栅极，该阴极上设有至少一个电子发射端，其特征在于，该栅极与该电子发射端临近的表面上设有绝缘层。
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