[发明专利]倒装焊发光二极管芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 200410027646.5 | 申请日： | 2004-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1716645A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李刚;吴启保;王胜国 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种倒装焊发光二极管芯片包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的多层氮化镓半导体材料，还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的氧化物基透明导电薄膜、在所述导电薄膜上制备的具有高光反射率和高导电性的金属基薄膜、以及在所述氮化镓半导体材料及所述金属基薄膜裸露表面制备的倒装焊键合用的金属凸点；还可以在所述氧化物基薄膜和金属基薄膜之间制备提高其低电阻接触特性的界面金属薄膜。从而既能与P型氮化镓形成低阻欧姆接触又具有良好透光性的优点；另外还具有在不增加吸光率不减弱反射率的情况下，改善氧化基透明导电薄膜和金属基薄膜之间的低电阻接触特性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种倒装焊发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的多层氮化镓半导体材料，其特征在于，还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的氧化物基透明导电薄膜、在所述导电薄膜上制备的具有高光反射率和高导电性的金属基薄膜、以及在所述氮化镓半导体材料及所述金属基薄膜裸露表面制备的倒装焊键合用的金属凸点。
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