[发明专利]一种半导体芯片无效
| 申请号： | 200410027955.2 | 申请日： | 2004-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1716647A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 严志军;于国安 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L31/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体芯片，包括n极区域、p极区域，以及n极区域与p极区域之间的电子－空穴复合区域，其特征在于，各电极设有两个或两个以上可供引线的电极部位。这种半导体芯片可用于大功率发光二极管芯片和其它半导体器件的制备，即不限于在LED领域的应用，还可用作IC上的大功率芯片、激光二极管(LD)、紫外探测器、各种其它晶体管器件等。由于设置有多个电极部位，因此克服了以往由于引线不当造成芯片性能下降或报废的问题，提高了芯片的可靠性和工作电流的均匀性，并因此提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种半导体芯片，包括N电极(104)、P电极(105)、n极区域(101)、P极区域(103)，以及N极区域(101)与P极区域(103)之间的电子-空穴复合区域，其特征在于，所述N电极(104)有两个或两个以上N电极部位，所述P电极(105)有两个或两个以上P电极部位(105A、105B)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于方大集团股份有限公司，未经方大集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410027955.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：试验肿瘤细胞对于抗癌药剂敏感性的方法
- 下一篇：滤芯抽出装置
