[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器模块及其制造工艺无效
申请号: | 200410028047.5 | 申请日: | 2004-07-09 |
公开(公告)号: | CN1595655A | 公开(公告)日: | 2005-03-16 |
发明(设计)人: | 何基强;黄伟东;谢雄才 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 深圳睿智专利事务所 | 代理人: | 王志明 |
地址: | 516600广东省汕尾市信*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器模块及其制造工艺,该传感器模块包括:柔性线路板(1)及固定于其上的互补金属氧化物半导体传感器集成电路(3),两者之间通过一各向异性导电薄膜层(2)连接,所述柔性线路板(1)和各向异性导电薄膜层(2)上设有位置与形状大小与互补金属氧化物半导体传感器集成电路(3)上感光部位(31)相对应的开孔(11)和(21),使感光部位(31)不会被覆盖。为制得上述传感器模块,首先分别设计制作合适形状和大小的柔性线路板和各向异性导电薄膜,并在两者上开孔,再依次将各向异性导电薄膜和互补金属氧化物半导体传感器集成电路贴在柔性线路板上,最后压紧加热即可。本发明的传感器模块厚度薄,又不会产生如金线邦定方式的氧化失效问题,可应用于各种摄像头上。 | ||
搜索关键词: | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 模块 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种互补金属氧化物半导体图像传感器模块,包括:柔性线路板(1)及固定于其上的互补金属氧化物半导体传感器集成电路(3),所述柔性线路板(1)与互补金属氧化物半导体传感器集成电路(3)上感光部位(31)对应处设有通孔(11);其特征在于:所述柔性线路板(1)与互补金属氧化物半导体传感器集成电路(3)之间通过一各向异性导电薄膜层(2)连接,所述各向异性导电薄膜层(2)上设有开孔(21),该开孔(21)的位置与形状大小与互补金属氧化物半导体传感器集成电路(3)上感光部位(31)的位置与形状大小对应,使感光部位(31)不会被覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的