[发明专利]半导体薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 200410028208.0 | 申请日： | 2004-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1527360A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 松本广;森川茂;工藤利雄 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社;住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体薄膜的制造方法。将非晶硅薄膜的膜厚设定为通过内部的光干涉使激光束的吸收率大致达到峰值的膜厚如62nm，比较试样的非晶薄膜的膜厚设定为45nm，如果照射将Nd：YLF激光束变换成2次高次谐波的Nd：YLF/SGH(脉冲振荡、波长527nm)激光束，用实线表示的本发明试样的光吸收率大于用虚线表示的比较试样的光吸收率28％，达到54％，光吸收率大幅度增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜的制造方法，其特征在于，包括准备基板、在上述基板上形成半导体薄膜、及对上述半导体薄膜照射激光束的工序，将上述半导体薄膜形成为上述激光束的吸收率通过内部的光干涉而达到峰值的80％以上的膜厚，通过对上述半导体薄膜照射上述激光束，使上述半导体薄膜结晶或再结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
