[发明专利]形成多孔膜的组合物、多孔膜及其形成方法、层间绝缘膜和半导体器件无效

专利信息
申请号: 200410028268.2 申请日: 2004-03-10
公开(公告)号: CN1531031A 公开(公告)日: 2004-09-22
发明(设计)人: 荻原勤;八木桥不二夫;中川秀夫;笹子胜 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社;松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;H01L21/768
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王维玉;丁业平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 使用常规的半导体工艺,提供一种可以形成多孔膜的涂布液,所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是,提供一种形成多孔膜的组合物,所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂,其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1):R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物,和一种或多种由通式(2):{Xj (Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且,提供了制造多孔膜的方法,包括施加所述组合物的步骤以便形成膜,干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜,也提供了其它的信息。
搜索关键词: 形成 多孔 组合 及其 方法 绝缘 半导体器件
【主权项】:
1.一种包含缩合产物和有机溶剂用于形成多孔膜的组合物,其中在碱性催化剂存在下,通过如下组分的水解和缩合得到缩合产物:一种或多种由通式(1):R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物,其中R1代表有1~8个碳原子的有机基团,以及当有二个或多个R1时,这些R1可以独立的,相同或不同;R2代表有1~4个碳原子的烷基,和当有二个或多个R2时,这些R2可以是独立的,相同或不同;k是0~3的整数;以及一种或多种由通式(2):{Xj(Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂,其中X代表氢原子、卤原子或具有1~4个碳原子的烷氧基;Y代表氢原子、具有1~4个碳原子的烷基或苯基;Z代表氢原子、卤原子或具有1~4个碳原子的烷基、具有1~4个碳原子的烷氧基或苯基;L代表直链或支链具有1~6个碳原子的亚烷基、具有1~6个碳原子的链烯烃、具有1~6个碳原子的炔烯烃或亚苯基;M代表碳原子或硅原子;j是1~3的整数;m是0或1;和n是3或4。
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