[发明专利]形成多孔膜的组合物、多孔膜及其形成方法、层间绝缘膜和半导体器件无效
申请号: | 200410028268.2 | 申请日: | 2004-03-10 |
公开(公告)号: | CN1531031A | 公开(公告)日: | 2004-09-22 |
发明(设计)人: | 荻原勤;八木桥不二夫;中川秀夫;笹子胜 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社;松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/768 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王维玉;丁业平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 使用常规的半导体工艺,提供一种可以形成多孔膜的涂布液,所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是,提供一种形成多孔膜的组合物,所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂,其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1):R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物,和一种或多种由通式(2):{Xj (Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且,提供了制造多孔膜的方法,包括施加所述组合物的步骤以便形成膜,干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜,也提供了其它的信息。 | ||
搜索关键词: | 形成 多孔 组合 及其 方法 绝缘 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种包含缩合产物和有机溶剂用于形成多孔膜的组合物,其中在碱性催化剂存在下,通过如下组分的水解和缩合得到缩合产物:一种或多种由通式(1):R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物,其中R1代表有1~8个碳原子的有机基团,以及当有二个或多个R1时,这些R1可以独立的,相同或不同;R2代表有1~4个碳原子的烷基,和当有二个或多个R2时,这些R2可以是独立的,相同或不同;k是0~3的整数;以及一种或多种由通式(2):{Xj(Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂,其中X代表氢原子、卤原子或具有1~4个碳原子的烷氧基;Y代表氢原子、具有1~4个碳原子的烷基或苯基;Z代表氢原子、卤原子或具有1~4个碳原子的烷基、具有1~4个碳原子的烷氧基或苯基;L代表直链或支链具有1~6个碳原子的亚烷基、具有1~6个碳原子的链烯烃、具有1~6个碳原子的炔烯烃或亚苯基;M代表碳原子或硅原子;j是1~3的整数;m是0或1;和n是3或4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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