[发明专利]导电通孔制作工艺有效
申请号: | 200410028292.6 | 申请日: | 2004-03-09 |
公开(公告)号: | CN1560912A | 公开(公告)日: | 2005-01-05 |
发明(设计)人: | 何昆耀;宫振越 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H05K3/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯;李晓舒 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种导电通孔制作工艺。首先,形成至少一贯孔于一基板上,且此贯孔连接基板的第一表面与第二表面。接着,形成一光致抗蚀剂层于基板的贯孔内壁、第一表面以及第二表面。然后,形成多个槽道于光致抗蚀剂层上,其中每一槽道是自第一表面经由贯孔内壁,而延伸至第二表面,且这些槽道分别暴露出部分贯孔内壁、部分第一表面以及部分第二表面。最后,将一导电材质填入在每一槽道内,以分别形成一导线,并移除光致抗蚀剂层。此导电通孔制作工艺可提供多重的信号连接路径。 | ||
搜索关键词: | 导电 制作 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种导电通孔制作工艺,可制作多数个导线于单一贯孔中,该导电通孔制作工艺包括:提供一基板,其中该基板具有一第一表面以及对应的一第二表面;在该基板上形成该贯孔,且该贯孔连接该第一表面与该第二表面; 在该基板上形成一光致抗蚀剂层,且该光致抗蚀剂层覆盖该贯孔内壁、该第一表面以及该第二表面;在该光致抗蚀剂层上形成多个槽道,其中每一该各槽道自该第一表面经由该贯孔内壁,而延伸至该第二表面,且该各槽道分别暴露出部分该贯孔内壁、部分该第一表面以及部分该第二表面;在该些槽道内填入一导电材质,以形成该各导线,且该各导线分别自该第一表面经由该贯孔内壁,而延伸至该第二表面;以及移除该光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造