[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件具有：p－型半导体衬底；在p－型半导体衬底中形成的低浓度n－型半导体区；在低浓度n－型半导体区内形成的第一高浓度p－型半导体区，它与第一电极连接；在低浓度n－型半导体区中形成的第一高浓度n－型半导体区，它通过电阻元件与第一电极连接；与第一高浓度n－型半导体区邻接形成的低浓度p－型半导体区；在p－型半导体衬底中形成的第二高浓度n－型半导体区和第二高浓度p－型半导体区，它们与第二电极连接；以及元件分离部分，它形成于低浓度p－型半导体区和第二高浓度n－型半导体区之间。这使得能够以高精度控制静电保护电路的开关特性，从而能够与所要受到保护的栅极氧化物薄膜的薄厚程度相适应。

主权项

1.一种半导体器件，包括：p-型半导体衬底；在p-型半导体衬底中形成的低浓度n-型半导体区；第一电极；在所述低浓度n-型半导体区内形成的第一高浓度p-型半导体区，它与第一电极连接；电阻元件；在所述低浓度n-型半导体区中形成的第一高浓度n-型半导体区，它通过电阻元件与第一电极连接；与所述第一高浓度n-型半导体区邻接形成的低浓度p-型半导体区；第二电极；在所述p-型半导体衬底中形成的第二高浓度n-型半导体区，它与第二电极连接；在所述p-型半导体衬底中形成的第二高浓度p-型半导体区，它与第二电极连接；以及元件分离部分，它形成于所述低浓度p-型半导体区和第二高浓度n-型半导体区之间。