[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410028381.0 | 申请日： | 2004-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1531071A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 臼井良辅 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/12;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置。其包括：层间绝缘膜(405)以及绝缘膜(409)；埋设在绝缘膜(409)内的配线(407、408a、408b)；载置在绝缘膜(409)上的电路元件(410a、410b)；覆盖电路元件(410a、410b)而形成的封闭膜(415)；覆盖封闭膜(415)而形成的导电性的遮蔽膜(416)。形成配线(408a、408b)与遮蔽膜(416)电连接的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘层；埋设在所述绝缘层内的配线；载置在所述绝缘层上的电路元件；覆盖所述电路元件而形成的封闭层；覆盖所述封闭层而形成的导电性的遮蔽膜；并且，所述配线与所述遮蔽膜电连接。
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