[发明专利]高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法无效
| 申请号： | 200410028392.9 | 申请日： | 2004-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1531032A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李正贤;徐范锡;闵约赛;曹永真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/822;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 氧化物 制造 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种制造高k介电氧化物膜的方法，该方法包括：(a)将半导体衬底装载到原子层沉积装置中；(b)在该半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；以及(c)通过氧化该反应材料，使得该第一元素和该第二元素同时氧化，从而在该半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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