[发明专利]半导体晶片、半导体装置及其制造方法、电路基板及电子机器无效

专利信息
申请号: 200410028450.8 申请日: 2004-03-11
公开(公告)号: CN1532908A 公开(公告)日: 2004-09-29
发明(设计)人: 花冈辉直;黑泽康则 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置的制造方法,在包含电连接于集成电路(12)上的焊点(16)的半导体基板(10)上,形成与焊点(16)电连接的布线层(20);覆盖布线层(20)地形成树脂层(22);在树脂层(22)与布线层(20)交迭的区域中,通过第1方法形成第1凹部(23);通过与第1方法不同的第2方法,去除第1凹部(23)的底部,在树脂层(22)中形成贯穿孔(24),并在布线层(20)中形成第2凹部(26),以便即使在其内表面的任一点上,在该点的接触平面与布线层(20)的上表面的在第2凹部(26)的外侧所成的角度在90度以上;在布线层(20)的第2凹部(26)中设置外部端子(28)。根据本发明的半导体装置的制造方法,防止布线层断线。
搜索关键词: 半导体 晶片 装置 及其 制造 方法 路基 电子 机器
【主权项】:
1、一种半导体装置的制造方法,包含以下工序:(a)在形成集成电路、含有电连接于所述集成电路上的焊点的半导体基板上形成与所述焊点电连接的布线层;(b)覆盖所述布线层地形成树脂层;(c)在所述树脂层的与所述布线层交迭的区域中,通过第1方法形成第1凹部;(d)通过与所述第1方法不同的第2方法,去除所述第1凹部的底部,在所述树脂层中形成贯穿孔,并且在所述布线层中形成第2凹部,以便即使在其内表面的任一点上,在该点的接触平面与所述布线层的上表面的在所述第2凹部的外侧所成的角度在90度以上;(e)在所述布线层的所述第2凹部中设置外部端子。
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