[发明专利]半导体器件及其构建方法有效
| 申请号： | 200410028460.1 | 申请日： | 2004-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1523652A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 伊势田泰永;金泽秀树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其构建方法。在具有位于将要连接至再布线层布线的凸点下方的最上层布线的半导体器件中，形成最上层布线，使得覆盖最上层布线的保护膜的表面在凸点下方没有凹凸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 构建 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：最上层布线，形成在半导体衬底上；再布线层，其形成来通过一保护膜与所述最上层布线连接；以及连接至所述再布线层的凸点，其中所述半导体器件具有至少一个最上层元件布线结构，其位于所述凸点下面，并具有其面积大于所述凸点与所述再布线层之间的连接面积的该最上层布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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