[发明专利]设有浪涌保护电路的半导体装置

摘要

本发明的半导体装置(51)中设有与信号输入端子(21)电连接的、含有二极管(22)和晶体管(23)的浪涌保护电路，其中，二极管(22)的阴极区由n⁺扩散层(8c)、n^－外延层(4)、n型扩散层(5)及n⁺扩散层(8b)构成。n⁺扩散层(8c)在半导体衬底(41)的主表面上形成，与布线(12b)电连接。n⁺扩散层(8b)和p型扩散层(6b)构成发生齐纳击穿的pn结，发生齐纳击穿的pn结与场氧化膜(7)相离。从而，能够获得设有无电流泄漏、能正常工作的浪涌保护电路的半导体装置。

主权项

1.一种设有与信号输入端子电连接的、包含二极管和晶体管的浪涌保护电路的半导体装置，其特征在于：设有含主表面的半导体衬底，在所述半导体衬底的主表面上形成的场氧化膜，以及在所述半导体衬底的主表面上形成的、与所述信号输入端子电连接的第一导电层；所述二极管的阴极包括第一阴极区和第二阴极区，所述第一阴极区与所述第一导电层电连接，在所述半导体衬底的主表面上形成，所述第二阴极区与所述二极管的阳极区构成发生齐纳击穿的pn结；所述发生齐纳击穿的pn结与所述场氧化膜相离。