[发明专利]薄膜晶体管及其生产方法有效
| 申请号： | 200410028747.4 | 申请日： | 2004-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1531112A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 田中宏明 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明提供的TFT(薄膜晶体管)中，供氢层能够形成在使氢的扩散距离缩短且不增加光刻法的位置处。在TFT中，用于使氢扩散到存在于多晶硅薄膜和门绝缘膜界面处的悬空键中的供氢层形成在门绝缘膜和门电极之间的位置处。根据该结构，在氢化过程中，氢的扩散距离可以缩短，在不花费大量热处理时间的情况下可以充分进行氢化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，其包括：其中形成有源区和漏区的多晶硅薄膜；和形成在所述多晶硅薄膜上的门电极，在所述多晶硅薄膜和所述门电极之间插入有门绝缘膜；其中，在所述门绝缘膜和所述门电极之间的位置处形成将氢供入所述多晶硅薄膜和所述门绝缘膜之间的界面中的供氢层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NEC液晶技术株式会社，未经NEC液晶技术株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410028747.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：随时可用的含干燥指示剂的接缝/修补产品
- 下一篇：锂电池
- 同类专利
- 专利分类
