[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410028780.7 | 申请日： | 2004-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1532892A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 长野能久;久都内知惠 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/10 | 分类号： | H01L21/10;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，在层间绝缘膜(12)上，与触点(13)的上面相接地布图，形成防止氧原子从上方朝触点(13)扩散的导电性氧阻挡层(14)。该导电性氧阻挡层(14)由导电性氧化物(例如TiAlN)构成的下部层(14a)，和由导电性氧化物(例如IrO2)构成的上部层(14b)组成。在导电性氧阻挡层(14)的侧面上，形成由Al2O3构成的、厚度为20nm左右的绝缘性氧阻挡层(15)，防止来自导电性氧阻挡层(14)的下部层(14a)的侧旁、即来自朝向触头(13)的侧旁的氧原子的扩散。从而对与触点连接的电容元件，即使是小面积，也能防止触点氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：在半导体区域上的层间绝缘膜中形成的、与所述半导体区域电连接的触点；在所述层间绝缘膜上与所述触点连接地形成的、具有导电性而且防止氧扩散的第1氧阻挡层；与所述第1氧阻挡层的侧面连接地形成的，具有绝缘性而且防止氧扩散的第2氧阻挡层；与所述第1氧阻挡层的上面连接地形成的下部电极；与所述下部电极连接地形成的电容绝缘膜；和与所述电容绝缘膜连接地形成的上部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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