[发明专利]非易失性存储器的存取控制系统无效
| 申请号： | 200410028788.3 | 申请日： | 2004-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1532713A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 永田太一;根本祐辅 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G06F12/14 | 分类号： | G06F12/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器的存取控制系统，按照在引导ROM中存储的系统初始化用程序，CPU在非易失性存储器(6)上设置禁止改写区域，并且根据在该禁止改写区域上设置的已写入标志(F)，存取控制电路可以进行允许改写或禁止改写的控制。由此，能使系统的制作者自由写入需要防止窜改的信息，并且能可靠防止该信息被窜改。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 存取 控制系统 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储器的存取控制系统，包括非易失性存储器、存储系统初始化用程序的引导ROM、向所述非易失性存储器发出指令的CPU、和接收来自所述CPU的指令并控制对所述非易失性存储器的存取的存取控制电路，其特征在于，所述CPU在每次系统电源启动时，通过执行在所述引导ROM中存储的系统初始化用的程序，按照在所述非易失性存储器上只设定禁止改写区域一次，在该禁止改写区域上只设定已写入标志一次那样进行动作；所述存取控制电路，在没有检验所述已写入标志的状态之前，所述非易失性存储器的任何写入都不被认可，在检验了所述已写入标志的状态之后，如果所述已写入标志没有表示禁止改写，则允许对所述禁止改写区域进行任何次数的写入，在向所述已写入标志设定了禁止改写之后，对所述禁止改写区域内的写入一概不被认可
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