[发明专利]发光二极管结构

摘要

本发明是关于一种发光二极管结构，该结构包括一半导体层、一第一电极及一第二电极，其中半导体层至少包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层及一发光层，发光层位于第一型掺杂半导体层部分区域上，第二型掺杂半导体层位于发光层上，且第一电极是位在发光层分布区域以外的第一型掺杂半导体层上，以及第二电极位在第二型掺杂半导体层上。此外发光层包括多数不同量子井结构(多重量子井结构或单一量子井结构)，此多数不同量子井结构相互交错。本发明因采用具有多数不同量子井结构，且彼此交错配置，故载子在经过这些不同量子井结构作用后可发出多种不同波长的光线，且各种波长光线在混光后可得到较低色温白光，其演色性及色温可调整性十分优异。

主权项

1、一种发光二极管结构，其特征在于其包括：一基材；一晶核层，位于该基材上；一缓冲层，位在该晶核层上；一第一束缚层，位在该缓冲层的部分区域上，其中该第一束缚层的掺杂型与该缓冲层的掺杂型相同；一发光层，位在该第一束缚层上，其中该发光层包括多数个第一多重量子井结构以及多数个第二多重量子井结构，且该些第一多重量子井结构与该些第二多重量子井结构是相互交错；一第二束缚层，位在该发光层上，其中该第二束缚层的掺杂型与该第一束缚层的掺杂型不同；一接触层，位在该第二束缚层上；一第一电极，位在该第一束缚层分布区域以外的该缓冲层上；以及一第二电极，位在该接触层上。