[发明专利]具有增层结构的晶圆级半导体封装件及其制法有效
| 申请号： | 200410029489.1 | 申请日： | 2004-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1670952A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄建屏;萧承旭;黄致明 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/31;H01L23/12;H01L23/18;H01L23/34;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有增层结构的晶圆级半导体封装件，其包括具贯穿孔的玻璃框架，至少一个收纳于该玻璃框架的贯穿孔中的芯片，填充于该芯片与玻璃框架的间隙中的低模数缓冲材料，形成于该芯片与玻璃框架上且与芯片电性连接的增层结构，以及多个焊设于该增层结构上以供该芯片与外界装置电性连接的导电组件；通过使用该玻璃框架及低模数缓冲材料，本发明的晶圆级半导体封装件无结构翘曲、碎裂及脱层的问题，且能有效薄化以符合薄型产品的需求；此外，本发明无须使用注胶模具而能降低封装成本，不易吸湿而能提高产品可靠度；本发明还进一步提供该晶圆级半导体封装件的制法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 晶圆级 半导体 封装 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种具有增层结构的晶圆级半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件包括：硬质框架，其具有一贯穿孔；至少一芯片，其收纳于该硬质框架的贯穿孔中，并与该硬质框架间形成有间隙；低模数缓冲材料，其填充在该芯片与硬质框架间所形成的间隙中；增层结构，其形成于该硬质框架及芯片上，并与该芯片形成电性连接关系；以及多个导电组件，其电性连接至该增层结构，供该芯片与外界装置电性连接。
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