[发明专利]埋入式电容器介层窗的制造方法有效
| 申请号： | 200410029531.X | 申请日： | 2004-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1612328A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 涂国基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种埋入式电容器介层窗的制造方法，此埋入式电容器具有一下电极、一电容介电层、一上电极及一抗反射层，其中，电容介电层、上电极及抗反射层组成埋入式电容器的侧壁，形成一介层窗，此一介层窗暴露出该埋入式电容器的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 埋入 电容器 介层窗 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种埋入式电容器介层窗的制造方法，该埋入式电容器位于一基底之上且具有一下电极、一电容介电层、一上电极及一抗反射层，其中，该电容介电层、该上电极及该抗反射层组成该埋入式电容器的侧壁，该制造方法至少包括：形成一介电层覆盖该埋入式电容器及该基底；以及形成一介层窗于该介电层之内以暴露出该埋入式电容器的侧壁。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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