[发明专利]半导体器件、电光装置和电子设备无效
| 申请号： | 200410029646.9 | 申请日： | 2004-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1532592A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 江口司 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/133;G09G3/30;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供即便是不变更设计规则，也可以实现使布线间距变窄等图形布局的高集成化的半导体器件和使用该半导体器件的电光装置以及电子设备。在半导体器件中，在基板(240)上按照第1导电膜(210)、在与该第1导电膜(210)平面看重叠的位置上形成了接触孔(221)的层间绝缘膜(220)、和通过接触孔(221)电连接到第1导电膜(210)上的第2导电膜(230)的顺序进行叠层。第1导电膜(210)被形成为平面看重叠到接触孔(221)全体上，而第2导电膜(230)则被形成为平面看重叠到接触孔(221)的一部分上，第1导电膜(210)和第2导电膜(230)，仅仅在接触孔(221)的底部(222)的一部分处接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电光 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：在基板上形成的第1导电膜；在该第1导电膜的上层形成的、在与该第1导电膜平面看重叠的位置上形成有接触孔的层间绝缘膜；以及在该层间绝缘膜的上层形成的、通过上述接触孔电连接到上述第1导电膜上的第2导电膜；其中，上述接触孔，平面看看从上述第1导电膜和上述第2导电膜中的任意一方露出来。
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