[发明专利]三轴自对准法制备内腔接触式垂直腔面发射激光器无效
| 申请号： | 200410029946.7 | 申请日： | 2004-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1564405A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 郭霞;沈光地;杜金玉;邹德恕 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 三轴自对准方法制备的垂直腔面发射激光器属半导体光电子技术领域。流程如图3－1～9所示，各步骤均用常规技术，包括以下步骤：光刻；采用光刻胶做掩膜，腐蚀上分布布拉格反射镜1到欧姆接触层3，并呈双沟状；淀积p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au 2；剥离，只在欧姆接触层3上留有Ti/Pt/Au；套刻；光刻胶和p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au2共同作为掩膜，分别向下腐蚀无掩膜保护的上分布布拉格反射镜1和欧姆接触层3、AlxGa1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4；去掉光刻胶；湿氮氧化，控制氧化时间，形成氧化孔径；将样品减薄，抛光，制备n型欧姆接触电极11。本发明使得光刻精度低的光刻机，也能获得三轴对准的垂直腔面发射激光器器件，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 法制 备内腔 接触 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种三轴自对准法制备内腔接触式垂直腔面发射激光器流程如图3-1～9所示，各个步骤均采用常规技术，其特征在于，它包括以下步骤：(1)在样品表面光刻；(2)采用光刻胶做掩膜，腐蚀上分布布拉格反射镜1到欧姆接触层3，并呈双沟状；(3)淀积p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au2；(4)剥离，只在欧姆接触层3上留有Ti/Pt/Au；(5)套刻，要求只要将上分布布拉格反射镜1上覆盖有掩膜材料即可；(6)光刻胶和p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au2共同作为掩膜，分别向下腐蚀无掩膜保护的上分布布拉格反射镜1和欧姆接触层3、AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4；(7)去掉光刻胶；(8)放到湿氮氧化炉中进行常规的AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化，控制氧化时间，形成氧化孔径；(9)将样品减薄，抛光，制备n型欧姆接触电极11。
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