[发明专利]金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法。先于基底的主动区中形成沟渠，接着形成多个第一绝缘间隙壁于沟渠的侧壁及其外缘，再形成闸介电层于暴露出的基底上。然后，在沟渠上形成栅极，再进行离子布植，以在第一绝缘间隙壁下方与栅极外侧的基底中形成源极/漏极。接着，在基底上形成绝缘层，再以非等向性蚀刻法蚀刻此绝缘层，以在栅极的侧壁上形成多个第二绝缘间隙壁，并暴露出栅极外侧的基底的表面。最后，形成硅化金属层于暴露出的栅极与基底的上表面。

主权项

1.一种具有高起的源极/漏极的金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，该方法至少包含：形成一沟渠于一基底的一主动区中；形成多个第一间隙壁在该沟渠的侧壁及其外缘；形成一闸介电层于暴露出的该基底上；形成一栅极于该沟渠上；进行第一型离子布植，以在该些第一间隙壁下方与该栅极外侧的该基底中形成源极/漏极；在该栅极的侧壁上形成一第二间隙壁；以及形成一硅化金属层于暴露出的该栅极与该基底的上表面。