[发明专利]强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件有效
| 申请号： | 200410030183.8 | 申请日： | 2004-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1532917A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;大桥幸司;名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8239;H01L27/10;H01L41/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种强电介质电容器的制造方法，首先，在基体上形成下部电极。然后，在下部电极上，形成由含有Pb、Zr、Ti及Nb的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜，在强电介质膜上形成上部电极。然后，以覆盖下部电极、强电介质膜及上部电极的方式，形成保护膜，至少在形成保护膜后，进行使PZTN复合氧化物结晶化的热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 电容器 及其 制造 方法 存储器 压电 元件 | ||
【主权项】：
1.一种强电介质电容器的制造方法，包括：在基体上形成下部电极的工序；在上述下部电极上，形成由含有Pb、Zr、Ti及Nb的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜的工序；在上述强电介质膜上形成上部电极的工序；以覆盖上述下部电极、强电介质膜及上部电极的方式，形成保护膜的工序；至少在形成上述保护膜后，进行用于使上述PZTN复合氧化物结晶化的热处理的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410030183.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：环状永久磁铁的固定结构
- 下一篇：胸腺素α1的活性片段及其聚乙二醇化衍生物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
