[发明专利]电极膜及其制造方法和强电介质存储器及半导体装置有效
| 申请号： | 200410030221.X | 申请日： | 2004-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1532894A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;大桥幸司;名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电极膜的制造方法，是在基板上形成电极膜的电极膜制造方法，首先，在基板上将电极材料的初期结晶核形成为岛状，之后使初期结晶核生长，以形成电极材料的生长层。而且，形成初期结晶核时的基板温度比形成生长层时的基板温度高。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 及其 制造 方法 电介质 存储器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电极膜的制造方法，是在基板上形成电极膜的制造方法，其中：该方法包括：(a)在上述基板上将电极材料的初期结晶核形成为岛状；(b)使上述初期结晶核生长，形成电极材料的生长层，上述(a)中的基板温度比上述(b)中的基板温度高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
