[发明专利]控制MOCVD淀积的PCMO组成的先驱物溶液和方法无效
| 申请号： | 200410030292.X | 申请日： | 2004-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1532303A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李廷凯;庄维佛;L·J·查内斯基;D·R·埃文斯;许胜籐 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;H01C17/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安;郑建晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 mocvd pcmo 组成 先驱 溶液 方法 | ||
【主权项】：
1.一种淀积PCMO的单一溶液MOCVD先驱物，包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3先驱物、Mn(tmhd)3先驱物和钙先驱物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
