[发明专利]具有增层结构的半导体封装件及其制法有效
| 申请号： | 200410030715.8 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1677650A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 黄建屏;萧承旭;黄致明 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/48;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种具有增层结构的晶圆级半导体封装件及其制法，其包括硬质底座、固定在该硬质底座上且具有贯穿孔的硬质框架、至少一个收纳于该硬质框架的贯穿孔中的芯片、填充于该芯片与硬质框架间的间隙中的介质、形成于该芯片与硬质框架上且与芯片电性连接的增层结构以及多个焊设于该增层结构上以供该芯片与外界装置电性连接的导电组件；通过使用该硬质底座及硬质框架，本发明的晶圆级半导体封装件可避免结构翘曲、碎裂及脱层、气爆等问题的产生，本发明更进一步提供该晶圆级半导体封装件的制法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体 封装 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种具有增层结构的晶圆级半导体封装件，其特征在于，该封装件包括：硬质底座；硬质框架，具有至少一个贯穿孔，且固定在该硬质底座上；至少一个芯片，收纳于该硬质框架的贯穿孔中而安置在该硬质底座上，并与该硬质框架间形成有间隙；介质，填充于该芯片与硬质框架间所形成的间隙中；增层结构，形成于该硬质框架及芯片上，并与该芯片形成电性连接关系；以及多个导电组件，电性连接至该增层结构，供该芯片与外界装置电性连接。
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