[发明专利]铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200410030786.8 申请日: 2004-04-09
公开(公告)号: CN1562883A 公开(公告)日: 2005-01-12
发明(设计)人: 黄朝晖;潘伟;齐龙浩;苗赫濯 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C25C3/08;F27D1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法,属于耐火材料制备技术领域。其特征是在氮化硅结合碳化硅砖的配料过程中把ZrB2材料和TiB2材料伴随碳化硅颗粒及细粉、硅粉和外加常温结合剂一起加入强制搅拌混砂机中混合;所述碳化硅的总加入量的质量百分比为60~80%,所述硅粉加入量为10~25%,所述添加ZrB2材料和TiB2材料的数量为总配料质量的0.1%~20%,所述烧结添加剂为稀土氧化物,加入量为总配料质量的0.2~10%。由于在耐火砖体中添加含ZrB2材料和TiB2材料,可大大提高氮化硅结合碳化硅耐火砖抗冰晶石电解质熔液侵蚀和渗透的能力及有效减缓侵蚀的速度,从而延长含ZrB2材料和TiB2材料的氮化硅结合碳化硅耐火砖的使用寿命。
搜索关键词: 电解槽 侧墙用 氮化 结合 碳化硅 耐火砖 及其 制备 方法
【主权项】:
1、铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖,其特征在于:所述耐火砖是含有ZrB2材料和TiB2材料的Si3N4结合SiC砖;添加含ZrB2材料和TiB2材料的氮化硅结合碳化硅砖的实施方式是在配料过程中把ZrB2材料和TiB2材料伴随碳化硅颗粒和细粉、硅细粉、外加烧结添加剂和外加常温结合剂一起加入强制搅拌混砂机中混合;所述碳化硅的加入量的质量百分比为55~89%,所述硅细粉加入量为10~25%,所述添加ZrB2材料和TiB2材料的数量为总配料质量的0.1%~20%,所述外加烧结添加剂为总配料质量的0.2~10%,所述外加常温结合剂的加入量为总配料质量的0.2~10%。
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