[发明专利]一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件无效
申请号: | 200410030893.0 | 申请日: | 2004-04-09 |
公开(公告)号: | CN1564335A | 公开(公告)日: | 2005-01-12 |
发明(设计)人: | 朱涛;彭子龙;詹文山 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;G11C11/15 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 尹振启 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件,该磁隧道结元件包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一引导层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为自由层、一绝缘层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为钉扎层、一反铁磁层、一保护层。通过调节复合铁磁层中的薄铁磁层的厚度可以连续可调复合铁磁层的自旋极化率,从而可以调控该元件的隧道磁电阻值;通过调节作为自由层的复合铁磁层中薄铁磁层的厚度可以连续可调该自由层的矫顽力,从而可以调节该元件的开关场大小。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 铁磁层 磁电 隧道 元件 | ||
【主权项】:
1、一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件,包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一反铁磁层、一绝缘层、及一保护层,其特征在于,还包括:一引导层,设于所述缓冲层上,所述引导层具有(111)织构;一复合铁磁层,作为钉扎层设置于所述反铁磁层上;及一复合铁磁层,作为自由层设置于所述绝缘层之上。
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