[发明专利]磁电阻效应型磁头及其制造方法无效
申请号: | 200410030906.4 | 申请日: | 2004-03-26 |
公开(公告)号: | CN1534606A | 公开(公告)日: | 2004-10-06 |
发明(设计)人: | 西冈浩一;重松惠嗣 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技日本有限公司 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 熊志诚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及磁电阻(MR)效应型磁头及其制造方法。本发明提供一种通过在室温施加磁场的处理使固定层的磁矩相对于大的外部磁场稳定、并能控制固定层的磁化方向的结构及施加磁场的处理方法。本发明的磁电阻效应型磁头的特征在于,固定层由相互反铁磁性结合的2个强磁性膜A及强磁性膜B,和分离2个强磁性膜A及B的反铁磁性结合膜组成,使强磁性膜A的单独的矫顽力为200Oe以上,使强磁性膜B的单独的矫顽力为20Oe以下,强磁性膜A和强磁性膜B的组成为,以Co100-YFeY(原子%)来表示时,强磁性膜A为80≥Y≥40;强磁性膜B为20≥Y≥0,与强磁性膜A接触的膜的材料为Ru、Ta、NiFeCr、Cu、NiFe。 | ||
搜索关键词: | 磁电 效应 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁电阻效应型磁头,该磁头具有固定层、自由层、及形成于上述固定层和上述自由层之间的非磁性隔离层,其特征在于:上述固定层具有通过反铁磁性结合膜而相互以反铁磁性结合的第1强磁性膜和第2强磁性膜;上述第1强磁性膜的矫顽力为200Oe以上,上述第2强磁性膜的矫顽力为20Oe以下。
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