[发明专利]可改善铜金属层结构的表面处理方法有效
| 申请号： | 200410030981.0 | 申请日： | 2004-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1536645A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 柯亭竹;蔡明兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可改善铜金属层结构的表面处理方法，包括下列步骤：(a)提供一表面具有介电层的半导体基底，且所述介电层形成有一沟槽；(b)在所述介电层表面及沟槽表面依序形成一顺应性的阻障金属层及铜晶种层；(c)施行一旋转喷洒程序，在所述铜晶种层表面形成一液态活化层以活化所述铜晶种层表面；以及(d)施行一电镀程序，以在所述铜晶种层表面形成一铜金属层并填满所述沟槽。利用本发明的方法将可改善所形成的铜金属层结构，减少铜金属层内部缺陷的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 金属 结构 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可改善铜金属层结构的表面处理方法，其特征在于，包括下列步骤：(a)提供一表面具有介电层的半导体基底，且所述介电层形成有一沟槽；(b)于所述介电层表面及沟槽表面依序形成一顺应性的阻障金属层及铜晶种层；(c)施行一旋转喷洒程序，在所述铜晶种层表面形成一液态活化层以活化所述铜晶种层表面；以及(d)施行一电镀程序，以在所述铜晶种层表面形成一铜金属层并填满所述沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410030981.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
