[发明专利]与非门型闪存存储单元列及其制造方法

摘要

一种与非门型闪存存储单元列及其制造方法。其存储单元列，包括第一、第二层叠栅极结构；控制、浮置栅极；栅间介电层、隧穿介电层、掺杂区以及源区/漏区。第一层叠栅极结构具有擦除栅极介电层、擦除栅极与覆盖层。第二层叠栅极结构具有选择栅极介电层、选择栅极与覆盖层。控制栅极位于各第一层叠栅极结构之间和各第二层叠栅极结构与相邻的第一层叠栅极结构之间。浮置栅极位于控制栅极与衬底之间，且其具有边缘呈尖角状的下凹表面。而栅间介电层位于控制与浮置栅极之间。隧穿介电层则位于浮置栅极与衬底之间。此外，掺杂区位于第一层叠栅极结构下，而源区/漏区位于除第二层叠栅极结构以外暴露出的衬底中。

主权项

1.一种与非门型闪存存储单元列，包括：一衬底；多个第一层叠栅极结构，设置于该衬底上，每一所述第一层叠栅极结构从该衬底起依序为一擦除栅极介电层、一擦除栅极与一覆盖层；两个第二层叠栅极结构，设置于该衬底上的所述第一层叠栅极结构最外两侧，每一所述第二层叠栅极结构从该衬底起依序为一选择栅极介电层、一选择栅极与一覆盖层；多个控制栅极，设置于所述第一层叠栅极结构之间和各所述第二层叠栅极结构与相邻的各所述第一层叠栅极结构之间；多个浮置栅极，设置于所述控制栅极与该衬底之间，而各所述浮置栅极具有一下凹表面，该下凹表面面对各所述控制栅极，且该下凹表面的边缘呈尖角状，其中该下凹表面的边缘低于该擦除栅极的顶面；一栅间介电层，设置于各所述控制栅极与各所述浮置栅极之间；一隧穿介电层，设置于各所述浮置栅极与该衬底之间及各所述浮置栅极与所述第一层叠栅极结构、所述第二层叠栅极结构之间；多个掺杂区，设置于所述第一层叠栅极结构下的该衬底中；以及多个源区/漏区，设置于除所述第二层叠栅极结构以外的暴露出的该衬底中。