[发明专利]非挥发性存储单元的制造方法

摘要

一种非挥发性存储单元的制造方法，首先于衬底上依序形成底介电层与电子陷获层。接着，图案化电子陷获层，以形成暴露出部分底介电层的一个沟槽，再于衬底上形成一层顶介电层覆盖电子陷获层以及暴露出的底介电层。之后，于衬底上形成一层导电层覆盖顶介电层，再图案化导电层、顶介电层、电子陷获层以及底介电层，以形成层叠式结构，此层叠式结构的宽度大于沟槽的宽度。接着，于层叠式结构两侧的衬底中形成源区/漏区。由于单一存储单元的电子陷获层分成两个独立的结构，因此可以配合元件小型化的发展，制作出适于长期操作的存储单元。

主权项

1.一种非挥发性存储单元的制造方法，包括：于一衬底上形成一底介电层；于该底介电层上形成一电子陷获层；图案化该电子陷获层，以形成暴露出部分该底介电层的一沟槽；于该衬底上形成一顶介电层覆盖该电子陷获层以及暴露出的该底介电层；于该衬底上形成一导电层覆盖该顶介电层；图案化该导电层、该顶介电层、该电子陷获层以及该底介电层，以形成一层叠式结构，其中该层叠式结构的宽度大于该沟槽的宽度；以及于该层叠式结构两侧的该衬底中形成一源区/漏区。