[发明专利]互补式金属氧化物半导体反相器有效
| 申请号： | 200410031235.3 | 申请日： | 2004-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1536668A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 孙文堂;胡珍仪 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H03K19/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属氧化物半导体电路(如：反相器或锁存器)。使用于该电路的晶体管以一连接器连接；该连接器居于中间，且有效地连接一第一晶体管形成区中的栅极与一第二晶体管形成区中的栅极，该连接器通常为Z形。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 反相器 | ||
【主权项】：
1.一种互补式金属氧化物半导体反相器，包括：(a)一第一晶体管，包括一第一栅极、一第一漏极与一第一源极；(b)一第二晶体管，包括一第二栅极、一第二漏极与一第二源极，且该第二晶体管位于该第一晶体管附近；(c)一反相器的输入，包括一大致为Z形的第一连接器，以有效地连接该第一栅极与该第二栅极；以及(d)一反相器的输出，包括第二连接器，以有效地连接该第一漏极与该第二漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
