[发明专利]快闪存储器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种快闪存储器结构及其制作方法。首先提供一具有一P型浅掺杂区的衬底，并于衬底表面形成至少一堆叠栅极，且堆叠栅极包含有一隧穿氧化层、一浮动栅极、一ONO层及一控制栅极，接着于堆叠栅极侧边的衬底中形成一P型深掺杂区，随后氧化浮动栅极与控制栅极的边缘部分，以形成一圆弧型绝缘阻障层，最后再于堆叠栅极两侧的衬底中形成一漏极与一源极。

主权项

1.一种制作快闪存储器的方法，该方法包含有下列步骤：提供一半导体衬底，且该半导体衬底中包含有一第一导电型式的浅掺杂区；于该半导体衬底表面形成至少一堆叠栅极结构，且该堆叠栅极结构由下至上依序包含有一隧穿氧化层、一浮动栅极、一绝缘层及一控制栅极；进行一第一离子注入工艺，于该堆叠栅极结构侧边的半导体衬底中形成一第一导电型式的深掺杂区；进行一氧化工艺，用以氧化该浮动栅极与该控制栅极的边缘部分，以于该浮动栅极边缘形成一圆弧型绝缘阻障层，并同时驱入该深掺杂区的掺杂离子；进行一第二离子注入工艺，于该堆叠栅极结构两侧的半导体衬底中形成两第二导电型式的掺杂区，以分别作为该快闪存储器的漏极与源极；以及形成一位元线插塞以及一位元线，且该位元线利用该位元线插塞与该快闪存储器的该漏极及该深掺杂区相电连接。