[发明专利]磁存储器以及写该磁存储器的方法无效
| 申请号： | 200410031295.5 | 申请日： | 2004-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1542843A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤利江;水岛公一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁存储器包括：一个配置用于自旋极化构成写入电流的电子的自旋极化单元；一个配置用于将构成写入电流的电子转换成热电子的热电子生成单元；以及一个由经过自旋极化单元自旋极化并经过热电子生成单元转换成热电子的写入电流进行磁化方向倒转处理的磁层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，包含：一个配置用于自旋极化构成写入电流的电子的自旋极化单元；一个配置用于将所述电子转换成热电子的热电子生成单元；以及一个磁化方向被热电子倒转的磁层。
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