[发明专利]多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法

摘要

本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列板，包括：包括多个像素区域的绝缘衬底；形成在该衬底上的栅极线；第一数据线，与该栅极线绝缘并与该栅极线交叉以限定所述像素区域；第二数据线，与该栅极线绝缘并与该栅极线交叉；形成在所述像素区域中的多个像素电极；与该栅极线和数据线连接并包括多晶硅构件的多个开关薄膜晶体管；以及与所述开关薄膜晶体管、所述像素电极和所述第二数据线连接并包括多晶硅构件的多个驱动薄膜晶体管，其中，该衬底包括多组分区，每个分区提供有基本上具有相同驱动能力的所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管，所述多个组中的一个组中的分区中的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管具有不同的驱动能力，不同组中的分区得以混合。